磁性记忆体高精度立体层积新技术

发布时间:2017-10-05 所属专题:基础研究

MRAM是一种非挥发性(即断电后仍可保存数据)的磁性记忆体。

根据日本产业技术综合研究所2017516日发布的消息,以该机构为首的一个研究团队成功开发出了一种对MRAM的记忆单元进行高精度立体层积的新技术。

MRAM由负责储存磁性数据的TMRTunnel Magneto Resistance Effect,隧道磁电阻效应)薄膜、负责管理数据的CMOS以及金属配线组成。TMR薄膜与带有金属配线的CMOS基板叠加时一般采用逐次层积的方式,这样易于产生瑕疵。研究人员此次在直径200毫米的CMOS基板上先后覆盖金属电极层和金属钽表面层,同时在另一块直径150毫米的CMOS基板上先后覆盖TMR薄膜层和金属钽表面层,然后将金属钽表面层进行贴合,成功制成了极少瑕疵的高性能MRAM记忆体(见附图)。

该技术有助于研发更高容量的磁性记忆体。(日本产业技术综合研究所)

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扩展阅读:

http://www.jst.go.jp/pr/announce/20170516-4/index.html#YOUGO4

http://baike.baidu.com/link?url=yFdspIvCjClUd_KE_XcLiN4xHQUl7Bx5v5L01ib0PyG82oDXpjYO6zMESsAKOyJJuBBr94xHR0GpkQxnrx4pn_