高强度电磁波照射生成新型纳米记忆材料

发布时间:2018-10-23 所属专题:新材料

GST(Ge锗,Sb锡,Te碲三种元素组成的化合物)是一种新型的相变化记忆体材料,它主要应用于DVD等光储存介质中。但是该材料结晶工艺比较复杂,这就影响了其实用化的进展。

根据日本科学技术振兴机构2018年10月12日发布的消息,由日本京都大学等多家机构联合组成的一个研究团队成功开发出了一种利用高强度电磁波促进GST纳米晶体形成的技术。

太赫波是频率为百亿赫兹级别的高强度电磁波。本研究团队将来自于激光脉冲的太赫波照射到一种特殊的大约40纳米厚的非晶型GST材料薄膜上。这种薄膜是由日本产业技术研究所的一个团队早先利用反应溅射法开发出来的。在照射的一瞬间,薄膜内部因为齐纳隧道效应(Zeber Tunelling)发生了特殊的电荷集聚现象,最终形成了蒸汽均一的GST纳米晶体结构。

该研究成果在制成GST结晶的同时还探明了其形成机理,为新型相变化记忆材料的研发和量产提供了新的途径。(日本科学技术振兴机构)

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扩展阅读:

 https://www.jst.go.jp/pr/announce/20181012-4/index.html